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公开/公告号CN1594068A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN200410019998.6
发明设计人 袁志好;张晓光;别利剑;段月琴;崔永锋;王晶;
申请日2004-07-16
分类号B82B3/00;
代理机构天津德赛律师事务所;
代理人卢枫
地址 300191 天津市南开区红旗南路263号
入库时间 2023-12-17 16:04:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-03-25
发明专利申请公布后的视为撤回
2005-05-18
实质审查的生效
2005-03-16
公开
机译: 利用多孔阳极氧化铝模板的有序分子器件阵列的制备方法
机译: 具有半导体二极管特性的碳纳米管及其多孔阳极氧化铝模板的制备方法
机译:在宏观尺度上在多孔氧化铝模板中制备Pd纳米阵列催化剂的简便方法
机译:利用纳米多孔氧化铝模板制备的CdTe / GaAs纳米点阵列和碳纳米管
机译:通过脉冲激光烧蚀在纳米多孔氧化铝模板上制备有序La0.7Sr0.3MnO3纳米孔阵列
机译:配对电池沉积法在多孔阳极氧化铝模板中制备AgBr纳米线阵列
机译:多孔氧化铝模板中铜和银纳米线的合成及聚合物纳米复合材料的制备
机译:二氧化硅纳米粒子单层阵列的制备使用阳极氧化铝模板
机译:阳极氧化铝模板原子层沉积法制备纳米多孔活性氧化铱薄膜