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介电层的改质方法、改质后的介电层与其在镶嵌式金属制程的应用

摘要

本发明提供一种介电层的改质方法,包括下列步骤:提供一基底,形成一含氧-硅-碳基键的介电层于该基底上,其中各氧-硅键之间未相互交连;对该介电层进行一包含氦气与氢气的电浆程序,以将该介电层中的硅-碳基键取代为硅-氢键,且形成各氧-硅键之间相互交连的结构。本发明亦可应用于镶嵌式金属的制造。

著录项

  • 公开/公告号CN1595620A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN03156866.1

  • 发明设计人 张惠林;柯忠祁;包天一;卢永诚;

    申请日2003-09-10

  • 分类号H01L21/31;H01L21/3115;H01L21/768;H01L21/3205;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人王一斌

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2023-12-17 16:00:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-10-03

    授权

    授权

  • 2005-05-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-16

    公开

    公开

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