公开/公告号CN1595620A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN03156866.1
申请日2003-09-10
分类号H01L21/31;H01L21/3115;H01L21/768;H01L21/3205;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王一斌
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-17 16:00:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-10-03
授权
授权
2005-05-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-03-16
公开
公开
机译: 包括耦合的介电层和金属层的半导体器件,其制造方法以及用于在半导体器件中耦合介电层和金属层的材料
机译: 包括耦合的介电层和金属层的半导体器件,其制造方法以及用于在半导体器件中耦合介电层和金属层的材料
机译: 包括耦合的介电层和金属层的半导体器件,其制造方法以及用于耦合半导体器件中的介电层和金属层的材料