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接触探头、探头插座、电特性测量装置和接触探头的接触方法

摘要

一种接触探头、探头插座、电特性测量装置和接触探头的接触方法,该接触探头(5),其特征在于:具备探头部(11a)和缓冲部(12a),该探头部(11a)由具有一端(21a1)设置开口(21a4)并且另一端(21a3)被封闭的有底孔(21a2)的第1套管(21a)、进退自如地容纳于该第1套管(21a)内的探针(22a)、以及安装在所述有底孔(21a2)内并朝所述开口(21a4)一侧对所述探针(22a)施加弹力的第1弹簧(23a)构成;所述缓冲部(12a)安装在所述第1套管(21a)的另一端(21a3)并弹性支撑所述第1套管(21a)。因此,可防止被测量对象物的静电破坏,并且能够正确测量电特性。

著录项

  • 公开/公告号CN1573338A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿尔卑斯电气株式会社;

    申请/专利号CN200410048568.7

  • 发明设计人 后藤章文;

    申请日2004-06-08

  • 分类号G01R1/06;G01R1/073;

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人刘建

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 15:51:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-08-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R1/06 授权公告日:20061004 终止日期:20100608 申请日:20040608

    专利权的终止

  • 2006-10-04

    授权

    授权

  • 2005-04-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-02-02

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及接触探头、探头插座、电特性测量装置和接触探头的接触方法,特别是涉及在电子部件的电特性测量时可以防止静电破坏的技术。

背景技术

现有的数字万用表等电特性测量装置如图14所示,由内置有电测量器的主体部61、从主体部引出来的测量电缆62、与测量电缆62连接的探头插座63构成。在图14的例子中,在探头插座63上备有2个接触探头64、64。并且,以接触探头64、64为例,通过接触作为被测量物的薄膜磁头H的端子T1、T2,就能够测量端子T1、T2间的电特性。

这里,图14所示的现有的电特性测量装置由于测量电缆62具有绝缘皮膜而容易积蓄电荷,并且由于接触探头64处于与主体部61的电源接地电悬浮的状态,所以,接触探头64处于易带电的状态。如果测量电缆62或接触探头64带电的话,在接触探头64、64与薄膜磁头H的端子T1、T2接触时,带电的电荷Q瞬间(数纳秒内)移动。电荷Q瞬间移动时,例如,即使电荷量Q为微量,电荷Q的时间微分即电流值也会变大。由于这种强大的电流流过,存在薄膜磁头H会被静电破坏的问题。

作为防止静电破坏的机构,例如在专利文献1中公布的套管结构的接触探头。图15中公开的是与专利文献1所公布的接触探头相同结构的探头。如图15所示,该接触探头200、200是将探针201、201和弹簧202、202容纳于套管203、203内而构成的。探针201、201因弹簧202、202而受到朝向套管的一端203a、203a一侧的力,探针201、201的前端从套管203、203突出来。另外,探针201、201由高电阻材料构成,套管203、203由低电阻材料构成。

在使所述的接触探头接触薄膜磁头H的端子T1、T2时,首先,探针201、201的前端与薄膜磁头H的端子T1、T2接触,然后被探针201、201推压使弹簧202、202压缩,探针201、201被按入套管203、203内的同时,套管的前端203a、203a与端子T1、T2接触。通过套管203、203与端子T1、T2接触,在薄膜磁头H和电特性测量装置之间构成电路来测量薄膜磁头的端子T1、T2间的电特性。

另外,探针201、201的前端与薄膜磁头H的端子T1、T2接触时,由带电的电荷产生的电流在薄膜磁头H和探针201、201之间流动。由于探针201由高电阻材料构成,所以此时的电流值抑制到较低。这样,在套管203与端子T1、T2接触前,带电的电荷成为低电流,除此之外,可以防止静电破坏。

【专利文献1】

日本专利特开2001-201515号公报

但是,专利文献1所记载的接触探头由于直接安装在探头插座上,所以成为加在探头插座上的力直接传递给接触探头的结构。因此,将接触探头与薄膜磁头的端子用力接触时,套管前端用力接触端子面,有时会发生端子面被其接触压力损伤的情况。

另外,如图15所示,有时会因制造时的尺寸公差的累积而使薄膜磁头的各端子面T11、T22的位置存在不齐的情况。对这种不齐的端子T1、T2接触探头插座63来测量电特性时,在一方的接触探头200的套管前端203a接触端子面T11时,另一方的接触探头200还处于仅探针201接触端子面T22的状态。该场合,高电阻的探针201处于测量电路系统内,存在不能正确地测量电特性的问题。

发明内容

本发明是鉴于所述情况而提出的,其目的在于提供一种防止对被测量物的静电破坏、同时可以正确地测量电特性的接触探头、探头插座、电特性测量装置和接触探头的接触方法。

为了实现所述目的,本发明采用以下的结构。

本发明的接触探头具备探头部和缓冲部,所述探头部由具有一端设置开口并且另一端被封闭的有底孔的第1套管、进退自如地容纳于该第1套管的有底孔内的探针、以及安装在所述有底孔内并对所述探针施加朝向所述开口一侧的弹力的第1弹簧构成;所述缓冲部安装在所述第1套管的另一端侧并弹性支撑所述第1套管。

根据所述结构,由于在第1套管的前端接触被测量对象物时的接触压力被缓冲部缓和,所以没有损伤被测量对象物的危险。

另外,本发明的接触探头,是上面记载的接触探头,其特征在于:所述缓冲部由具有一端设置开口并且另一端被封闭的有底孔的第2套管、进退自如地安装在该第2套管内的柱塞、以及安装在所述第2套管内并对所述柱塞施加朝向所述第2套管的开口一侧的弹力的第2弹簧构成,所述柱塞连结在所述第1套管的另一端。特别是,优选使所述柱塞的进退方向与所述探针的进退方向一致。

根据所述的结构,能够通过第2弹簧经由柱塞弹性支撑第1套管,能够由第2弹簧缓和第1套管的接触压力。另外,通过使柱塞与探针的进退方向一致,能够更有效地缓和第1套管的接触压力。

另外,本发明的接触探头,是上面记载的接触探头,其特征在于:所述缓冲部由具有一端设置开口并且另一端被封闭的有底孔的第2套管、进退自如地安装在该第2套管内的柱塞、以及安装在所述第2套管内并对所述柱塞施加朝向所述第2套管的开口一侧的弹力的第2弹簧构成,所述第2套管的另一端连结在所述第1套管的另一端。特别是,优选使所述柱塞的进退方向与所述探针的进退方向一致。

根据所述结构,能够通过第2弹簧经由第2套管弹性支撑第1套管,能够由第2弹簧缓和第1套管的接触压力。另外,通过使柱塞与探针的进退方向一致,能够更有效地缓和第1套管的接触压力。并且,可以一体形成第1套管和第2套管,从而能够削减接触探头的部件数目。

另外,本发明的接触探头,是上面记载的接触探头,其特征在于:所述第2弹簧的弹性系数设定成比所述第1弹簧的弹性系数更大。

根据所述结构,接触探头接触被测量对象物时,第1弹簧先于第2弹簧被按压。第1弹簧被压缩时,接着是探针,再则第1套管的前端接触被测量对象物,然后,第2弹簧被压缩、缓冲部进行工作。通过使这种动作成为可能,能够使第1套管可靠地接触被测量对象物,从而能够顺利地进行电特性的测量。

另外,本发明的接触探头,是上面记载的接触探头,所述探针的面电阻设定成比所述第1套管的面电阻高。

像所述的结构那样,由于探针的面电阻设定得高,所以,被测量对象物或接触探头自身所带电的电荷,通过缓慢地移动探针,而抑制所带电荷产生的电流值在较低。因此,能够防止因接触探头的接触而导致的被测量对象物的静电破坏。

另外,本发明的接触探头,是上面记载的接触探头,其特征在于:所述探针的前端被做成球面状。采用这种结构,没有被测量对象物被接触探头的接触损伤的危险。

另外,本发明的探头插座,备有多个上面的任何一个所记载的接触探头,并且使各接触探头的探针的进退方向为同一方向,并且,使第1套管的前端位置对齐。

根据所述的结构,由于第1套管的前端同时接触被测量对象物,所以能够顺利地进行电特性的测量。另外,在被测量对象物的测量面的位置有偏差、仅一部分接触探头的第1套管接触测量面、而其他接触探头的第1套管不接触测量面的状况下,通过进一步接触探头插座,使前者的接触探头的缓冲部工作,缩短接触探头自身的全长,这样,使后者的接触探头的第1弹簧压缩,就能够使处于未接触状态的第1套管接触到测量面。因而,能够使全部的接触探头的第1套管接触被测量对象物,从而能够正确地进行电特性的测量。

另外,本发明的电特性测量装置最好备有多个上面的任何一个所记载的接触探头,进一步配有上面记载的探头插座则更好。

其次,本发明的接触探头的按压方法是将接触探头接触电子器件的端子的方法,该接触探头具备探头部和缓冲部,所述探头部由具有一端设置开口并且另一端被封闭的有底孔的第1套管、进退自如地容纳于该第1套管的有底孔内的探针、以及安装在所述有底孔内并对所述探针施加朝向所述开口一侧的弹力的第1弹簧构成,所述缓冲部安装在所述第1套管的另一端侧并弹性支撑所述第1套管;将所述接触探头接触所述端子来使所述探针的前端接触所述端子,接着使所述第1弹簧压缩的同时使所述第1套管的前端接触所述端子,再接着使所述缓冲部工作。

另外,优选:所述缓冲部所述缓冲部由具有一端设置开口并且另一端被封闭的有底孔的第2套管、进退自如地安装在第2套管内的柱塞、安装在所述第2套管内并对所述柱塞施加朝向所述第2套管的开口一侧的弹力的第2弹簧;通过所述缓冲部的工作,使第2弹簧压缩对柱塞施加朝向第2套管的另一侧的弹力。

采用所述的方法,接触探头在接触被测量对象物时,第1弹簧先于第2弹簧被压缩,接着是探针,再则第1套管的前端接触被测量对象物,然后,第2弹簧被压缩、缓冲部进行工作,利用这种动作能够使第1套管可靠地接触被测量对象物,从而能够顺利地进行电特性的测量。

附图说明

图1是表示第1实施方式的电特性测量装置的结构的模式图。

图2是表示第1实施方式的电特性测量装置上所配备的接触探头的结构的剖面模式图。

图3是表示图2所示的接触探头的主要部分的剖面模式图。

图4是说明第1实施方式的接触探头工作的模式图。

图5是说明第1实施方式的接触探头工作的模式图。

图6是说明第1实施方式的接触探头工作的模式图。

图7是说明第1实施方式的接触探头工作的模式图。

图8是表示第2实施方式的电特性测量装置的结构的模式图。

图9是表示第2实施方式的电特性测量装置上所配备的接触探头的结构的剖面模式图。

图10是说明第2实施方式的探头插座工作的模式图。

图11是说明第2实施方式的探头插座工作的模式图。

图12是说明第2实施方式的探头插座工作的模式图。

图13是说明第2实施方式的探头插座工作的模式图。

图14是表示现有的电特性测量装置的结构的模式图。

图15是表示现有的电特性测量装置的结构的模式图。

图16是说明现有的电特性测量装置的工作的模式图。

具体实施方式

(第1实施方式)

以下参照附图对本发明的第1实施方式进行说明。图1表示本实施方式的电特性测量装置的结构,图2表示图1的电特性测量装置所配备的接触探头的结构,另外,图3表示接触探头的主要部分的剖面。

如图1所示,本实施方式的电特性测量装置1由内置有电测量器的主体部2、从主体部2引出来的测量电缆3、与测量电缆3连接的探头插座4构成。在图1的例子中,在探头插座4上备有2个接触探头5、6。通过将接触探头5、6接触到例如作为被测量物的薄膜磁头的端子,就能够测量端子间的电特性。

接触探头5、6具有相同的结构,图2只表示一个接触探头5。如图1以及图2所示,接触探头5、6分别由探头部11a、11b和缓冲部12a、12b构成。探头部11a、11b由第1套管21a、21b,进退自如地容纳于第1套管21a、21b内的探针22a、22b,以及对探针22a、22b施加弹力的第1弹簧23a、23b构成。另外,缓冲部12a、12b由第2套管31a、31b,进退自如地容纳于第2套管31a、31b内的柱塞32a、32b,以及对柱塞32a、32b施加弹力的第2弹簧33a、33b构成。

另外,如图1所示,探头插座4由2个接触探头5、6和保持各接触探头5、6的主体部4a构成。在主体部4a上配备有2个插座部4b、4b,接触探头5、6的第2套管31a、31b插入各插座部4b、4b内。另外,探头端子4c、4c连接在各插座部4b、4b上,接触探头5、6经由该探头端子4c、4c分别与测量电缆3、3连接。

另外,对齐各接触探头5、6使各探针22a、22b的进退方向相对于主体4a为同一方向,另外,对齐各接触探头5、6使各第1套管21a、21b的前端21a1、21b1的位置相对于主体部4a为相同位置。

其次,如图2所示,探头部11a由第1套管21a、探针22a及第1弹簧23a构成。在第1套管21a上形成有底孔21a2。有底孔21a2封闭第1套管21a的另一端21a3的同时与设在第1套管前端21a1一侧的开口21a4连通而构成。并且,在第1套管21a的前端21a1一侧设有限位部21a5

另外,探针22a容纳于第1套管21a的有底孔21a2内。探针22a比开口部21a4更细。另外,在探针22a的基端侧形成配合部22a1,由限位部21a5卡扣该配合部22a1。并且,探针22a的前端22a2被做成球面状。

另外,第1弹簧23a容纳于有底孔21a2内部。第1弹簧23a一端与探针的配合部22a1连接,同时,另一端与有底孔21a2的内面连接,对探针22a施加朝向开口部21a4一侧的弹力。由于探针22a的配合部22a1会卡扣在限位部21a4上,所以探针22a不会从第1套管21a内脱落出来。利用以上的结构,探针的前端22a2从开口部21a4突出来,而且探针22a可以在第1套管21a内进退自如。

另外,缓冲部12a安装在第1套管21a的另一端21a3并弹性支撑第1套管21a,它由第2套管31a、柱塞32a及第2弹簧33a构成。在第2套管31a上形成有底孔31a2。该有底孔31a2封闭第2套管31a的另一端31a3侧同时与设在第2套管31a一端的开口31a4连通而构成。并且,在第2套管31a的一端31a1侧设有限位部31a5。另外,第2套管31a的另一端31a3侧形成插座接受部31a4,该插座接受部31a4插入探头插座4的插座部4b内。

另外,柱塞32a容纳于第2套管31a的有底孔31a2内。柱塞32a比开口部31a4更细。另外,在柱塞32a的基端侧形成配合部32a1,该配合部32a1可由限位部31a5卡扣。并且,第2弹簧33a容纳于有底孔31a2内部。第2弹簧33a一端与柱塞的配合部32a1连接的同时、另一端与有底孔31a2的内面连接,对柱塞32a施加朝向开口部31a4一侧的弹力。由于柱塞的配合部32a1会卡扣在限位部31a5上,所以柱塞32a不会从第2套管31a内脱落出来。另外,柱塞32a的进退方向与探针22a的进退方向一致。

根据以上的结构,柱塞32a的前端从开口部31a4突出来,且柱塞32a可以在第2套管31a内进退自如。并且,柱塞32a与第1套管的另一端21a3连结。这样,第1套管21a由缓冲部12a弹性支撑。

其次,探针22a由面电阻高于第1套管21a的材料构成。作为探针22a的具体材质可例示出:在热可塑性树脂材料中配合碳原纤维而成的树脂合成物。碳原纤维其纤维直径在100nm以下,纤维长度和纤维直径之比在5以上,碳原纤维的配合量相对于热可塑性树脂材料的100重量份最好为0.1~8重量份。另外,作为基体树脂的热可塑性树脂材料,优选使用聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙酯以及聚丙烯之中的至少一种。

另外,第1套管21a的材质可例如在黄铜上施以镀金得到。

探针22a的面电阻优选在106~1012Ω/□(ohms per square)范围,更优选在108~1010Ω/□范围。

如果探针22a的面电阻不足106Ω/□,探针22a接触被测量对象物时,带电的电荷产生的强大电流流过,被测量对象物被静电破坏。另外,如果探针22a的面电阻超过1012Ω/□的话,带电的电荷不会散尽。

另外,如图3所示,探针22a的前端22a2侧的直径R优选在3.5~4毫米的范围,探针22a从开口21a4的最大突出高度S优选在0.15~0.25毫米的范围。根据这种结构,由于只有探针前端22a2的球面部分从开口21a4突出来,所以,即使在按压探针22a而压进第1套管21a内的场合,探针22a也不接触限位部21a5,从而能够防止限位部21a5的磨损。

另外,第2弹簧33a的弹性系数设定成比第1弹簧23a的弹性系数要大。具体地说,第2弹簧33a在施加50~60g负荷而被压缩的场合行程为0.3mm左右最好,对此,第1弹簧23a在施加30g负荷而被压缩的场合行程为0.3mm左右最好。通过这样设定各弹簧23a、33a的弹性系数,第1弹簧23a比第2弹簧33a先被压缩,接着是探针22a,再则第1套管21a的前端21a1接触被测量对象物,然后,第2弹簧33a被压缩,缓冲部12a动作。

其次,对本实施方式的接触探头5、6以及探头插座4的动作进行说明。图4、图5、图6以及图7是用于说明本实施方式的探头插座4的工作的模式图。

首先,如图4所示,使探头插座4接近作为被测量对象物的薄膜磁头H的端子部T。在薄膜磁头H的端子部T上设有2个端子T1、T2,而且这些端子T1、T2的端子面T11、T22的高度相互不同。即,一个端子面T11位于比另一个端子面T22更靠近探头插座4的位置。

接着,如图5所示,使探头插座4更加接近薄膜磁头H的端子部T,使接触探头5的探针22a接触端子面T11。这时,确保在探针22a和端子T1之间导通,探针22a或者端子T1所带的电荷形成电流而流至探针22a。由于探针22a面电阻比较高,所以,把电流值抑制到很小来防止薄膜磁头H的静电破坏。

然后,如图6所示,使探头插座4更加接近薄膜磁头H的端子部T,使接触探头6的探针22b接触端子面T22。这时,在接触探头5内,因端子T1和探头插座4的接近,第1弹簧23a被压缩、探针22a被压进第1套管21a内,第1套管21a的前端21a1接触端子T1。另外,第1弹簧23a由于弹性系数低于第2弹簧33a的弹性系数,所以,它先于第2弹簧33a被压缩。

另外,在另一个探针22b和端子T2之间也确保了导通,探针22b或者端子T2所带的电荷形成电流而流至探针22b,以此防止薄膜磁头H的静电破坏。

然后,如图7所示,使探头插座4更加接近薄膜磁头H的端子部T时,接触探头5的第2弹簧33a被压缩,柱塞32a被压进第2套管31a内,接触探头5自身变短。同时,接触探头6的第1弹簧23b被压缩,第1套管21b的前端21b1接触端子面T22,这样,各接触探头5、6的第1套管21a、21b分别接触端子T1、T2。由于第1套管21a、21b分别由面电阻比较低的材料构成,所以,端子部T和接触探头5、6之间的电压降低变少。

这样,在端子面T11、T22的位置有偏差、只接触探头5的第1套管21a接触端子面T11而接触探头6的第1套管21b不接触端子面T22的状况下,通过进一步接触探头插座4,使接触探头5的缓冲部12a工作来使接触探头5本身的长度变短,这样,使接触探头6的第1弹簧23b压缩,就能够使未接触状态的第1套管21b接触端子面T22。因而,能够使第1套管的前端21a1、21b1接触两个端子T1、T2,从而能够正确地进行电特性的测量。

另外,由于越使探头插座4接近薄膜磁头H的端子部T,接触探头5的第2弹簧33a就越被压缩、柱塞32a越被压进第2套管31a内,所以,能够缓和接触探头5一侧的第1套管21a和端子面T11之间的接触压力,从而没有因第1套管21a损伤端子面T11的危险。

另外,如上所述,接触探头5接触端子部T时,由于第1弹簧23a先于第2弹簧33a被按压,所以,能够使第1套管21a可靠地接触端子面T11,从而能够顺利地进行电特性的测量。

(第2实施方式)

以下,参照附图来对本发明的第2实施方式进行说明。图8表示本实施方式的电特性测量装置的结构,图9表示图8的电特性测量装置所配备的接触探头的结构。另外,本实施方式的电特性测量装置、探头插座以及接触探头的结构要件中,与第1实施方式的电特性测量装置、探头插座以及接触探头的相同的结构要件被赋予同一符号而省略其说明或者简单地进行说明。

如图8所示,本实施方式的电特性测量装置101,由主体部2和测量电缆3、探头插座104构成。在图8的例子中,探头插座104上配备有2个接触探头105、106。

接触探头105、106具有相同的结构,图9只表示一个接触探头105。如图8以及图9所示,接触探头105、106分别由探头部111a、111b和缓冲部112a、112b构成。探头部111a、111b由第1套管121a、121b、和进退自如地容纳于第1套管121a、121b内的探针22a、22b、以及对探针22a、22b施加弹力的第1弹簧23a、23b构成。另外,缓冲部112a、112b由第2套管131a、131b、和进退自如地容纳于第2套管131a、131b内的柱塞132a、132b、以及对柱塞132a、132b施加弹力的第2弹簧33a、33b构成。

另外,如图8所示,探头插座104由2个接触探头105、106和保持各接触探头105、106的主体部4a构成。在主体部4a上配备有2个插座部4b、4b,接触探头105、106的柱塞132a、132b插入各插座部4b、4b内。另外,探头端子4c、4c连接在各插座部4b、4b上,接触探头105、106经由该探头端子4c、4c分别与测量电缆3、3连接。

另外,对齐各接触探头105、106使各探针22a、22b的进退方向相对于主体4a为同一方向,另外,对齐各接触探头105、106使各第1套管121a、121b的前端121a1、121b1的位置相对于主体部4a为相同位置。

其次,如图9所示,探头部111a由第1套管121a、探针22a及第1弹簧23a构成。在第1套管121a上形成有底孔121a2。有底孔121a2封闭第1套管121a的另一端121a3的同时与设在第1套管前端121a1的开口121a4连通而构成。并且,在第1套管121a的前端121a1侧设有限位部121a5

另外,探针22a容纳于第1套管121a的有底孔121a2内。另外,在探针22a的基端侧形成配合部22a1,该配合部22a1由限位部121a5卡扣。

另外,第1弹簧23a容纳于有底孔121a2内部。第1弹簧23a一端与探针的配合部22a1连接,同时,另一端与有底孔121a2的内面连接,对探针22a施加朝向开口部121a4一侧的弹力。根据以上的结构,探针的前端22a2从开口部121a4突出来,并且探针22a可以在第1套管121a内进退自如。

另外,缓冲部112a安装在第1套管121a的另一端121a3侧并弹性支撑着第1套管121a,该缓冲部112a由第2套管131a、柱塞132a及第2弹簧33a构成。在第2套管131a上形成有底孔131a2。该有底孔131a2封闭第2套管131a的另一端131a3的同时与设在第2套管131a一端131a1侧的开口131a4连通而构成。另外,第1套管121a和第2套管131a的各有底孔121a2、131a2被隔离壁140隔开。

并且,在第2套管131a的一端131a1侧设有限位部131a5。另外,柱塞132a的另一端131a3侧形成插座接受部131a4,该插座接受部131a4插入探头插座104的插座部4b。

另外,柱塞132a容纳于第2套管131a的有底孔131a2内。在柱塞132a的基端侧形成配合部132a1,该配合部132a1被限位部131a5卡扣。并且,第2弹簧33a容纳于有底孔131a2内部。第2弹簧33a其一端与柱塞的配合部132a1连接,同时,另一端与隔离壁140连接,对柱塞132a施加朝向开口部131a4一侧的弹力。由于柱塞的配合部132a1会卡扣在限位部131a5上,所以柱塞132a不会从第2套管131a内脱落出来。另外,柱塞132a的进退方向与探针22a的进退方向一致。

根据以上的结构,柱塞132a的另一端132a3从开口部131a4突出来,并且柱塞132a可以在第2套管131a内进退自如。并且,第2套管131a与第1套管121a连结。这样,第1套管121a由缓冲部112a弹性支撑。

另外,与第1实施方式一样,探针22a由面电阻高于第1套管121a的材料构成。第1套管121a的材质与第1实施方式的第1套管21a相同。

另外,探针22a的前端22a2侧的直径R以及探针22a的最大突出高度S也与第1实施方式的情况相同。利用这种结构,能够防止探针22a对限位部121a5的磨损。

还有,第2弹簧33a的弹性系数和第1弹簧23a的弹性系数的关系也与第1实施方式相同。利用这种结构,第1弹簧23a先于第2弹簧33a被压缩,接着是探针22a,再则第1套管121a的前端121a1接触被测量对象物,然后,第2弹簧33a被压缩,缓冲部112a工作。

其次,对本实施方式的接触探头105、106以及探头插座104的工作进行说明。图10、图11、图12以及图13是用于说明本实施方式的探头插座104的动作的模式图。

首先,如图10所示,使探头插座104接近作为被测量对象物的薄膜磁头H的端子部T。接着,如图11所示,使探头插座104更加接近薄膜磁头H的端子部T,使接触探头105的探针22a接触端子面T11。这时,确保在探针22a和端子T1之间导通,探针22a或者端子T1所带的电荷形成电流而流至探针22a。由于探针22a面电阻比较高,所以,电流值被抑制得很小来防止薄膜磁头H的静电破坏。

然后,如图12所示,使探头插座104更加接近薄膜磁头H的端子部T,使接触探头106的探针22b接触端子面T22。这时,在接触探头105内,利用端子T1和探头插座104的接近,第1弹簧23a被压缩、探针22a被压进第1套管121a内,第1套管121a的前端121a1接触端子T1。另外,第1弹簧23a由于其弹性系数低于第2弹簧33a的弹性系数,所以,它先于第2弹簧33a被压缩。

另外,在另一方的探针22b和端子T2之间的导通被确保,探针22b或者端子T2所带的电荷形成电流而流至探针22b,以此防止薄膜磁头H的静电破坏。

然后,如图13所示,使探头插座104更加接近薄膜磁头H的端子部T时,接触探头105的第2弹簧33a被压缩,柱塞132a被压进第2套管131a内,接触探头105自身变短。同时,接触探头106的第1弹簧23a被压缩,第1套管121b的前端121b1接触端子面T22,这样,各接触探头105、106的第1套管121a、121b分别接触端子T1、T2。由于第1套管121a、121b分别由面电阻比较低的材料构成,所以,端子部T和接触探头105、106之间的电压降低变少。

这样,在端子面T11、T22的位置存在偏差、只接触探头105的第1套管121a接触端子面T11而接触探头106的第1套管121b不接触端子面T22的状况下,通过进一步推压探头插座104,使接触探头105的缓冲部112a工作来使接触探头105自身的长度变短,这样,使接触探头106的第1弹簧123b压缩,就能够使未接触状态的第1套管121b接触端子面T22。因而,能够使第1套管121a、121b的前端121a1、121b1接触两个端子T1、T2

另外,由于越使探头插座104接近薄膜磁头H的端子部T,会越使接触探头105的第2弹簧33a被压缩,而越柱塞132a被压进第2套管131a内,所以,能够缓和接触探头105一侧的第1套管121a和端子面T11之间的接触压力,没有由第1套管121a损伤端子面的危险。

另外,如上所述,接触探头105接触端子部T时,由于第1弹簧23a先于第2弹簧33a被按压,所以,能够使第1套管121a可靠地接触端子面T11,从而能够顺利地进行电特性的测量。

另外,本发明的技术范围并不限定于所述实施方式,在不脱离本发明主要思想的范围内可以加以各种变更。例如,在所述的实施方式中是以配备2个接触探头的探头插座为例来说明的,但本发明中3个以上的接触探头也可以。

如以上详细说明的那样,采用本发明的接触探头,由于在探头部的第1套管的另一端安装有弹性支撑第1套管的缓冲部,所以第1套管的前端接触被测量对象物时的接触压力被缓冲部缓和,没有损伤被测量对象物的危险。

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