强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法

摘要

一种强电介质膜的形成方法，对形成在基板(10)上的非晶质的氧化物膜(30)照射脉冲状的激光或灯光，形成氧化物的微结晶核(40)。然后，在含有微结晶核(40)的氧化物膜上形成光透过/吸收膜(22)。再从光透过/吸收膜(22)的上部照射脉冲状的激光或灯光，使氧化物结晶化，形成强电介质(50)。