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有序反铁磁钉扎系统的搀杂方法

摘要

本发明涉及一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法,该钉扎材料包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一反铁磁层/掺杂层多层膜,以及一被钉扎的铁磁层和设于其上的保护层。其制备方法是在基片上依次沉积各层并通过真空退火得到该钉扎材料;由本发明方法制备的钉扎材料的不仅成功地把Cr或Ru等元素插入钉扎系统的反铁磁材料,提高了其电阻率和抗腐蚀性,更为重要的是,反铁磁对铁磁的钉扎作用不仅没有减少反而增强,而且系统的热稳定性也很好。该系统制备工艺简单、材料性能稳定。

著录项

  • 公开/公告号CN1547038A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN200310118596.7

  • 发明设计人 代波;蔡建旺;赖武彦;

    申请日2003-12-15

  • 分类号G01R33/09;G11B5/39;H01L43/10;

  • 代理机构11003 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人尹振启

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2023-12-17 15:39:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-10

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2006-04-19

    授权

    授权

  • 2005-01-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-17

    公开

    公开

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