多层半导体集成电路结构的制作方法及其电路结构

摘要

一种多层面半导体集成电路(IC)结构包含：第一互连层面，它包括在半导体衬底上的介电材料层，介电材料层包括钝化半导体器件和其下局部互连线的致密材料；多层介电材料互连层，制作在致密介电材料层上，每个介电材料层都包含至少一层低κ值介电材料；以及，在低κ值介电材料层中的一组叠置通路柱，所述这组叠置通路柱的每一个都与一个或多个图形导电结构互连，导电结构包含制作在低κ值介电材料中的悬臂。多个互连层面中每一个的介电层都包括软低κ值介电材料，其中悬臂和叠置通路柱组集成在软低κ值材料内，以增强抗御形成热疲劳断裂的能力。