法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-15
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/467 授权公告日:20070314 终止日期:20161031 申请日:20011031
专利权的终止
2007-03-14
授权
授权
2004-06-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-03-31
公开
公开
机译: 制造接触结构的方法,该结构用于测试可完全吸收负载压力的半导体封装,应用于半导体封装的接触结构,用于测试半导体封装的接触结构以及用于封装的半导体封装的方法
机译: 适用于高性能应用的模制高密度电子封装结构
机译: 适用于高性能应用的模制高密度电子封装结构