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用于高度密封装应用的高性能的散热器结构

摘要

一种用于从集成电路器件中汲取热量的增强的散热装置,包括具有上下外表面区域的导热的芯子。所述装置还包括沿径向延伸的针状散热片结构的第一阵列。所述第一阵列和上表面区域呈热连接,使得在芯子和第一阵列周围引入的冷却介质在芯子和第一阵列周围产生一个全向流,从而增强从所述集成电路器件的散热。所述芯子包括第一阵列和下表面区域,它们的具有足够的尺寸,使得当把所述散热装置安装到所述集成电路器件上时,能够使母板上的元件被安装在所述集成电路器件上。

著录项

  • 公开/公告号CN1486508A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN01822171.8

  • 发明设计人 S·李;

    申请日2001-10-31

  • 分类号H01L23/467;H01L23/367;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人肖春京;章杜杲

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 15:13:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-15

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/467 授权公告日:20070314 终止日期:20161031 申请日:20011031

    专利权的终止

  • 2007-03-14

    授权

    授权

  • 2004-06-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-03-31

    公开

    公开

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