一种修正线型薄膜层末端紧缩效应的方法

摘要

一种修正线型薄膜层末端紧缩效应的方法，依序于半导体芯片上形成薄膜层及第一罩幕层；再于第一罩幕层上形成图案化的第一光阻层来定义线型薄膜层图案；去除未被第一光阻层所覆盖的第一罩幕层，直至薄膜层表面；于薄膜层表面及第一罩幕层表面形成具有一开口的第二罩幕层，且开口是相对应于半导体芯片的主动区域图案；接着缩小未被第二罩幕层所覆盖的第一罩幕层的尺寸；最后去除第二罩幕层及未被第一罩幕层覆盖的薄膜层，并去除第一罩幕层，完成线型薄膜层的制程。