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使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管组成的基本标准组件布局

摘要

本发明揭露一种使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管(CMOS)组成的基本标准元件布局,至少包含:复数个CMOS晶体管,其中一半个数的CMOS晶体管位于接参考电位的第一金属导线上方,其余一半个数的CMOS晶体管位于第一金属导线下方;上半部的CMOS晶体管连接至第二金属导线,下半部的CMOS晶体管连接至第三金属导线,第二金属导线及第三金属导线连接至一电源供应端,此外每两个相邻接CMOS晶体管为一组,每一组的汲极端互相连接,闸极端也互相连接,该每一组的汲极端系做为一讯号输出端或相邻一组的闸极的输入端。

著录项

  • 公开/公告号CN1449019A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN02106133.5

  • 发明设计人 王绍宇;吴建德;萧俊杰;

    申请日2002-04-04

  • 分类号H01L21/82;H01L27/00;H01L21/8238;H01L27/092;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄志华

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2023-12-17 15:01:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-07-13

    授权

    授权

  • 2003-12-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-10-15

    公开

    公开

  • 2002-07-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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