公开/公告号CN1449019A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN02106133.5
申请日2002-04-04
分类号H01L21/82;H01L27/00;H01L21/8238;H01L27/092;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人黄志华
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-17 15:01:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-07-13
授权
授权
2003-12-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-10-15
公开
公开
2002-07-24
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 一种使用DSA预结构和标准金属层形成标准晶体管布局的方法以及具有标准晶体管布局的器件
机译: 由具有互补的stuurelektrode的互补式veld效应晶体管组成的集成式半杰作的制造方法。
机译: 由具有互补的stuurelektrode的互补式veld效应晶体管组成的集成式半杰作的制造方法。