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具位於主动胞元阵列外的屏蔽电极和较小闸极－汲极电容的电晶体排列

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由设置在至少是逐段将主动胞元阵列(2)环绕住的边缘区(4)内的屏蔽电极(17)改善电晶体排列(1)的开关特性，这是因为设置在边缘区(4)内的屏蔽电极(17)可以降低边缘栅结构(14)和汲极区(16)之间的电容，进而使电晶体排列(1)的闸极－汲极电容C

著录项

公开/公告号CN1445861A

专利类型发明专利
公开/公告日2003-10-01

原文格式PDF
申请/专利权人因芬尼昂技术股份公司;
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申请/专利号CN03107676.9
发明设计人 R·亨宁格;F·赫勒;J·克鲁雷伊;W·里格;M·波滋尔;
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申请日2003-03-19
分类号H01L29/772;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人赵辛
地址联邦德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 14:57:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-01-24

授权

授权
2003-12-17

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-10-01

公开

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1. 具位於主动胞元阵列外的屏蔽电极和较小闸极－汲极电容的电晶体排列 [P] . 中国专利： CN1445861A . 2003-10-01
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3. ADJUSTABLE SHIELD ELECTRODE ARRANGEMENT FOR CAPACITIVE TOUCH SENSOR ARRAY [P] . 世界知识产权组织专利： WO2015044517A1 . 2015-04-02

机译：电容式触摸传感器阵列的可调屏蔽电极排列

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