公开/公告号CN1437221A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-08-20
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN02103496.6
申请日2002-02-06
分类号H01L21/28;H01L21/8242;
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人刘朝华
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-17 14:57:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-02-16
授权
授权
2003-11-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-08-20
公开
公开
2002-06-12
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 使用自对准硅化物技术化合物的嵌入式动态随机存取存储器制造方法
机译: 利用自对准硅化物技术制造嵌入式动态随机存取存储器的方法
机译: 形成双金属自对准硅化物层的方法和包括该双金属自对准硅化物层的半导体器件的制造方法