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掺镱氟磷酸钙激光晶体的生长方法

摘要

一种掺镱氟磷酸钙激光晶体的生长方法,主要是采用磷酸氢钙、碳酸钙、氟化钙和氟化镱为原料按照比例采用两步合成法制备原料,在流动氮气和原位退火的条件下生长激光晶体。原料中采用YbF3引入Yb激活离子而不是通常采用的氧化物的方式引入,解决了现有技术中因为掺入Yb2O3而引入O2-所导致的晶格畸变问题,减少了Yb:FAP激光晶体的位错缺陷,提高Yb:FAP的光谱和激光性能。

著录项

  • 公开/公告号CN1425809A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN02155045.X

  • 申请日2002-12-20

  • 分类号C30B15/04;C30B29/14;

  • 代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人张泽纯

  • 地址 201800 上海市800-211邮政信箱

  • 入库时间 2023-12-17 14:48:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-07-13

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2003-09-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-06-25

    公开

    公开

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