退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN1425809A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海光学精密机械研究所;
申请/专利号CN02155045.X
发明设计人 赵志伟;邓佩珍;徐军;徐晓东;宋平新;
申请日2002-12-20
分类号C30B15/04;C30B29/14;
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人张泽纯
地址 201800 上海市800-211邮政信箱
入库时间 2023-12-17 14:48:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-07-13
发明专利申请公布后的视为撤回
2003-09-10
实质审查的生效
2003-06-25
公开
机译: 1.94μm激光设备,系统和方法,使用掺有二极管激光器的掺ul的氟化钇钇锂激光晶体
机译: 掺钕氟钙磷灰石的激光晶体
机译: 获得纳米颗粒包覆的无定形磷酸钙和柠檬酸盐掺氟的方法
机译:掺Yb和掺Na的PbF_2激光晶体的晶体生长和光谱表征
机译:掺Yb〜(3+)的GdAl_3(BO_3)_4晶体的生长,光谱和激光性质:红外激光晶体的候选者
机译:掺and和掺K的KLu(WO4)(2)的晶体生长,光谱表征和人眼安全的激光操作
机译:掺钕磷灰石晶体作为944.11 nm激光的活性介质的晶体生长和光谱研究
机译:在脉冲冷却条件下通过脉冲激光沉积[和]自由基,氟代亚甲基和氯卡宾的荧光激发光谱和原子荧光测量方法生长的金属氧化物薄膜的结构特征,以及荧光寿命的测量。
机译:掺Yb3 +的KBaGd(MoO4)3晶体的生长和光谱评估:超短脉冲和可调谐激光器的候选者
机译:通过脉冲激光沉积生长的掺镱氧化钇平面波导激光器
机译:评估不同晶体生长参数对KDp和DKDp激光损伤性能重要性的新快速方法