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提高电子回旋共振化学气相沉积速度的方法及装置

摘要

提高电子回旋共振化学气相沉积速度的方法及装置属于微波低温等离子体技术领域。包括有微波源、真空密封、薄膜沉积、真空泵系统、磁场产生及气路、气体控制部分,磁场产生是在位于谐振腔壁外放置单并磁场线圈,产生电子回旋共振等离子体所需的轴向磁场位形,本发明的特征在于,是在沉积室内放置了可在样片台(12)上方产生均匀轴向磁场的的永磁体单元(13),该单元不仅体积小,在沉积室有较大的移动空间,并且轴向磁场变化大,使得轴向磁场位形在靠近永磁体时发生显著变化,使得谐振腔及沉积室的轴向磁场位形由单并线圈和永磁体单元组合共同形成和调节。这种磁场位形决定了其在电子回旋共振条件下产生的等离子体可获得高的薄膜沉积速度。

著录项

  • 公开/公告号CN1417375A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN02155431.5

  • 发明设计人 陈光华;阴生毅;宋雪梅;

    申请日2002-12-13

  • 分类号C23C16/511;C23C16/513;

  • 代理机构北京工大思海专利代理有限责任公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-12-17 14:44:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-02-07

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2004-12-22

    授权

    授权

  • 2003-07-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-05-14

    公开

    公开

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