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使用选择性生长的碳纳米管的电子发射光刻装置及方法

摘要

本发明提供了一种使用选择性生长的碳纳米管的电子发射光刻装置以及方法。该电子发射光刻装置将碳纳米管用作电子发射源,其包括:电子发射源,设置在一个腔室内;平台,以预定距离与电子发射源相隔,试样就安装在这个平台上。电子发射源是一个具有电子发射能力的碳纳米管。因此,因为用碳纳米管作为电子发射源,所以可以以精确的临界尺寸进行光刻处理。另外,由于从碳纳米管发出的电子减小了电子束抗蚀剂的与碳纳米管一一相对的部分,所以,可以防止衬底的中心和其边缘之间的偏差。因此,可以提供一种实现高产量的电子发射光刻装置。

著录项

  • 公开/公告号CN1407602A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN02144390.4

  • 发明设计人 崔原凤;柳寅儆;

    申请日2002-06-04

  • 分类号H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 14:44:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/027 授权公告日:20050316 申请日:20020604

    专利权的终止

  • 2005-03-16

    授权

    授权

  • 2003-06-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-04-02

    公开

    公开

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