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具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置

摘要

本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形,能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法,以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中,以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有:第1信号电极(12);在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16);以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外,也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。

著录项

  • 公开/公告号CN1388990A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 精工爱普生株式会社;

    申请/专利号CN01802501.3

  • 申请日2001-08-21

  • 分类号H01L27/10;H01L27/105;G11C11/22;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人程天正;张志醒

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 14:32:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/10 授权公告日:20060322 终止日期:20180821 申请日:20010821

    专利权的终止

  • 2006-03-22

    授权

    授权

  • 2003-03-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-01-01

    公开

    公开

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