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用于离子注入器的高传输,低能量离子束管线结构

摘要

离子束装置包括离子源,第一磁铁组件,界定分辨孔的结构,和第二磁铁组件。离子源狭长的排出孔,用来产生带状离子束。第一磁铁组件提供第一磁场,用来偏转垂直于带状离子束横截面的长边的离子束,在第一磁场中将带状离子束中的不同种类的离子分离。分辨孔从分离的离子束中选取离子种类。第二磁铁组件提供第二磁场,用来偏转在平行于带状离子横截面的长边的离子束中所选取离子种类的离子,以产生在带状离子束中选取离子种类的所需离子轨迹。优选地,所需离子轨迹基本上是平行的。在通过大部分离子束管线时带状离子束的宽度是增加的。因此,低能量性能被加强。

著录项

  • 公开/公告号CN1377509A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2002-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瓦里安半导体设备联合公司;

    申请/专利号CN00813878.8

  • 发明设计人 安东尼·丽奥;

    申请日2000-09-18

  • 分类号H01J37/317;H01J37/147;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人过晓东

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2023-12-17 14:27:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-03-16

    授权

    授权

  • 2003-01-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-10-30

    公开

    公开

  • 2002-10-09

    实质审查的生效

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