改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法

摘要

本发明关于改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法,可应用于半导体制程的纯硅晶层中,在纯硅晶层上方具有自然氧化层,并藉由低能量离子植入方式将砷离子打入此纯硅晶层中;再经由稀氢氟酸清洗以除去纯硅晶层上方的自然氧化层,再由稀氢氯酸清洗以除去纯硅晶层表面的污染物,以及由臭氧水浸洗以形成化学氧化层于纯硅晶层上方;并经快速加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构;完成半导体制程中的低能量离子植入制程。