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铜源试剂组合物,及其制造和用于微电子设备结构的方法

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摘要

液体供应CVD所用的铜前体,该CVD用于在衬底上形成含铜材料。所公开的铜前体对半导体设备结构中互连的金属化特别有用。

1. 铜源试剂组合物,及其制造和用于微电子设备结构的方法 [P] . 中国专利： CN1361784A . 2002-07-31
2. 在制造微电子品的铜沉积中使用的调平组合物 [P] . 中国专利： CN108779240A . 2018-11-09
3. COPPER SOURCE REAGENT COMPOSITIONS AND METHOD OF MAKING AND USING SAME FOR MICROELECTRONIC DEVICE STRUCTURES [P] . 韩国专利： KR20020046230A . 2002-06-20

机译：用于微电子设备结构的铜源试剂组成及其制造和使用方法
4. Copper source reagent compositions, and method of making and using same for microelectronic device structures [P] . 美国专利： US6337148B1 . 2002-01-08

机译：铜源试剂组合物及其制造和用于微电子器件结构的方法
5. Copper source reagent compositions, and method of making and using same for microelectronic device structures [P] . AU5038800A . 2000-12-12

机译：铜源试剂组合物及其制造和用于微电子器件结构的方法