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具有存储单元和基准单元的集成存储器以及这种存储器的运行方法

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摘要

存储器具有等同构造的存储单元(MC)和基准单元(RC)。将基准信息写入基准单元(RC)中,办法是将基准单元(RC)经第一开关元件(S1)从读出放大器(SAi)脱开,并且将位线(BLi,bBLi)的与基准单元(RC)连接的部分,经第二开关元件(S2)与输送基准信息的一个电位线(P1)电气地连接。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-05-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C7/14 授权公告日:20050608 终止日期:20160310 申请日:20000310

专利权的终止
2016-02-03

专利权的转移 IPC(主分类):G11C7/14 登记生效日:20160113 变更前: 变更后: 申请日:20000310

专利申请权、专利权的转移
2013-07-24

专利权的转移 IPC(主分类):G11C7/14 变更前: 变更后: 登记生效日:20130704 申请日:20000310

专利申请权、专利权的转移
2013-07-24

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C7/14 变更前: 变更后: 申请日:20000310

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2005-06-08

授权

授权
2002-04-10

公开

公开
2002-04-03

实质审查的生效

实质审查的生效

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1. 具有存储单元和基准单元的集成存储器以及这种存储器的运行方法 [P] . 中国专利： CN1205616C . 2005.06.08
2. 具有基准电位的集成存储器与这种存储器的运行方法 [P] . 中国专利： CN1190796C . 2005.02.23
3. A memory cell structure, a memory device employing such a memory cell structure,and an integrated circuit having such a memory device [P] . 英国专利： GB2458763B . 2011-11-09

机译：存储单元结构，采用这种存储单元结构的存储器件以及具有这种存储器件的集成电路
4. A memory cell structure, a memory device employing such a memory cell structure,and an integrated circuit having such a memory device [P] . 英国专利： GB0904579D0 . 2009-04-29

机译：存储单元结构，采用这种存储单元结构的存储器件以及具有这种存储器件的集成电路
5. An integrated circuit with a memory having a plurality of memory cells with synchronous construction, the yield with clock missing units are connected, as well as a method of designing such a circuit [P] . 德国专利： DE102008007004B4 . 2010-09-23

机译：一种具有存储器的集成电路，该存储器具有多个具有同步结构的存储单元，连接具有时钟丢失单元的良率，以及设计这种电路的方法