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使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管及其制造方法

摘要

提供使用碳纳米管能够实现高密度集成,即万亿比特规模集成的竖直纳米尺寸晶体管,及其制造方法。在使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管中,具有几个纳米直径的孔形成在诸如间隔几个纳米的矾土的绝缘层中,以通过CVD,电泳或机械压缩,在纳米尺寸的孔中竖直排列碳纳米管,以用作沟道。而且,使用普通半导体制造方法,在碳纳米管附近形成栅,然后源和漏形成在每个碳纳米管的上下部分,从而制做出具有电子开关特征的竖直纳米尺寸晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN1330412A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2002-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN01122021.X

  • 发明设计人 崔原凤;李兆远;李永熙;

    申请日2001-06-22

  • 分类号H01L29/78;H01L21/336;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王以平

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 14:10:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-03-16

    授权

    授权

  • 2003-01-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-01-09

    公开

    公开

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