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公开/公告号CN1330412A
专利类型发明专利
公开/公告日2002-01-09
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN01122021.X
发明设计人 崔原凤;李兆远;李永熙;
申请日2001-06-22
分类号H01L29/78;H01L21/336;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王以平
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 14:10:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-03-16
授权
2003-01-22
实质审查的生效
2002-01-09
公开
机译: 碳纳米管,相同位置的方法,使用碳纳米管制造的场效应晶体管,场效应晶体管的制造方法以及半导体装置
机译: 碳纳米管,其定位方法,使用该碳纳米管制造的场效应晶体管,该场效应晶体管的制造方法以及半导体装置
机译: 使用碳纳米管的垂直纳米尺寸晶体管及其制造方法
机译:碳纳米管的3D组装通过纳米尺寸和电子束诱导的沉积制造场效应晶体管
机译:走向整个碳纳米管电路:带有局部多壁碳纳米管互连的单壁碳纳米管场效应晶体管的制造
机译:使用等离子体增强化学气相沉积生长的纳米管制造碳纳米管场效应晶体管
机译:用于制造场效应晶体管的单个碳纳米管的纳米尺寸
机译:用于生物传感应用的碳纳米管场效应晶体管的制造和功能化。
机译:使用全卷对卷凹版印刷系统制造的用于柔性电子设备的基于碳纳米管的薄膜晶体管的可扩展性
机译:使用生长的单壁碳纳米管的场效应晶体管阵列的简单制造技术
机译:使用碳纳米管场效应晶体管(CNT-FET)开发超灵敏纳米级生物传感器器件