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用于截头圆锥形溅射靶的高靶利用率磁性装置

摘要

磁控管溅射涂敷系统具有磁控管阴极(20),该阴极包括截头圆锥形靶(25),该靶具有锥形磁体组件(30),该磁体组件在靶(25)未侵蚀时在主磁力隧道下方在靶(25)的中间半径或中心线处产生最高的侵蚀率,且随着靶的侵蚀,最高侵蚀率的位置逐渐转移到两个区域,一个是半径小于靶中心线的内部区域,一个是半径大于靶中心线的外部区域。结果,在靶(25)的寿命过程中靶的侵蚀在整个靶面积上趋于相等,提高了靶的利用率。磁体组件(30)包括具有通过磁轭(36)磁性地互连的磁极、形成主磁力隧道的内环(31)和外环(33)以及用来产生与形成主磁力隧道的磁极方位相反的磁场的中间磁体环(32)。

著录项

  • 公开/公告号CN1336965A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2002-02-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京电子株式会社;

    申请/专利号CN00802777.3

  • 发明设计人 德尔克·安德鲁·罗素;

    申请日2000-11-10

  • 分类号C23C14/34;C23C14/35;H01J37/34;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人蔡洪贵

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 14:06:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/34 授权公告日:20041006 终止日期:20151110 申请日:20001110

    专利权的终止

  • 2004-10-06

    授权

    授权

  • 2002-02-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-02-20

    公开

    公开

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