用于长久保持记忆力的低印记铁电材料以及制作此材料的方法

摘要

一种液态前体,用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313),其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时,这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313),此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造,因此在75℃下经过1010个负极化转换脉冲之后,以及在125℃下经过109个负极化转换脉冲之后,电容器表现出优良的极化率和低百分率印记。