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通过气相渗碳制造碳化钨的方法

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摘要

本发明涉及一种在高于850℃的温度下通过钨粉和/或合适的钨前体化合物粉末的气相渗碳制造碳化钨的方法,根据此方法,采用一种CO2/CO混合物作渗碳气相,其CO2含量高于对应于渗碳温度的Boudouard平衡含量。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-25

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B31/34 授权公告日:20040922 终止日期:20181103 申请日:19991103

专利权的终止
2018-08-31

专利权的转移 IPC(主分类):C01B31/34 登记生效日:20180813 变更前: 变更后: 申请日:19991103

专利申请权、专利权的转移
2009-05-13

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20090403 申请日:19991103

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
2004-09-22

授权

授权
2002-01-30

实质审查的生效

实质审查的生效
2001-12-12

公开

公开

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1. 通过气相渗碳制造碳化钨的方法 [P] . 中国专利： CN1167615C . 2004.09.22
2. 通过气相渗碳制造碳化钨的方法 [P] . 中国专利： CN1326424A . 2001-12-12
3. Process for producing tungsten carbides by carburizing in gaseous phase [P] . CZ297760B6 . 2007-03-21

机译：气相渗碳生产碳化钨的方法
4. Method for producing tungsten carbide by vapor-phase carburization [P] . 日本专利： JP3963649B2 . 2007-08-22

机译：气相渗碳生产碳化钨的方法
5. Method for producing tungsten carbides by gas-phase carburization [P] . 美国专利： US7118635B1 . 2006-10-10

机译：气相渗碳生产碳化钨的方法