具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

提供了制造具有高介电常数(k大于7)栅绝缘体、低覆盖电容(0.35fF/μm或更低)、以及短于光刻确定的栅长度的沟道长度(亚光刻,例如0.1μm或更短)的MOSFET的方法。这些方法包括镶嵌工艺步骤和化学氧化物清除(COR)步骤。COR步骤在衬垫氧化物层上产生一个大的斜坡,当与高k栅绝缘体组合时,导致比用常规互补金属氧化物半导体(CMOS)技术制作的MOSFET器件更低的覆盖电容、短的沟道长度和更好的器件性能。