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制造具有沟道区保护膜的薄膜晶体管面板的方法

摘要

利用干蚀刻处理形成一种保护薄膜晶体管的沟道区的保护膜。因此,即使半导体膜中有缺陷,也不会在栅极绝缘膜中形成针孔。于是,即使包括栅极的扫描信号线等仅由具有未在表面上形成阳极氧化膜的A基金属膜形成,栅极绝缘膜的击穿电压也不会降低。

著录项

  • 公开/公告号CN1321914A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2001-11-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 卡西欧计算机株式会社;

    申请/专利号CN01115548.5

  • 发明设计人 东俊明;宫川达也;

    申请日2001-04-27

  • 分类号G02F1/136;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人韩宏

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 14:02:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-03-02

    专利权的视为放弃

    专利权的视为放弃

  • 2001-11-14

    公开

    公开

  • 2001-08-22

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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