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利用热CVD法在大尺寸基片上大规模合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法

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摘要

一种利用热化学汽相淀积(CVD)在大尺寸基片上合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法。该合成方法中,通过腐蚀在基片上形成隔离的纳米级催化金属颗粒,并通过利用碳源气的热CVD,由催化金属颗粒生长垂直排列的净化碳纳米管。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-08-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B31/02 授权公告日:20050216 终止日期:20130612 申请日:20000612

专利权的终止
2005-02-16

授权

授权
2000-12-20

公开

公开
2000-11-01

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效

1. 利用热CVD法在大尺寸基片上大规模合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法 [P] . 中国专利： CN1277145A . 2000-12-20
2. 利用热化学汽相淀积法在大尺寸基片上大规模合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法 [P] . 中国专利： CN1189390C . 2005.02.16
3. Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition [P] . 美国专利： US6350488B1 . 2002-02-26

机译：利用热化学气相沉积在大尺寸基板上垂直排列的高纯度碳纳米管的质量合成方法
4. Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1059266A3 . 2000-12-20

机译：利用热化学气相沉积在大尺寸基板上垂直排列的高纯度碳纳米管的质量合成方法
5. Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1059266A2 . 2000-12-13

机译：利用热化学气相沉积在大尺寸基板上垂直排列的高纯度碳纳米管的质量合成方法