公开/公告号CN1267393A
专利类型发明专利
公开/公告日2000-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 西门子公司;
申请/专利号CN98808326.4
发明设计人 卡尔海因茨·霍尔兹莱因;勒内·斯坦;
申请日1998-08-13
分类号H01L21/265;H01L21/324;H01L29/78;
代理机构柳沈知识产权律师事务所;
代理人侯宇
地址 德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 13:42:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2001-06-06
专利申请的视为撤回
专利申请的视为撤回
2000-09-20
公开
公开
机译: 浸渍手段和SiC基半导体成分掺杂的SiC半导体区域的热自修复方法
机译: 浸渍手段和SiC基半导体成分掺杂的SiC半导体区域的热自修复方法
机译: 制备具有预定数量的单独功能元件的SiC半导体元件的方法,该元件可用于经受极高温度和严格环境条件的元件的电绝缘膜