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侧向约束激光器

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在包括台结构(11)的半导体激光器中;为了减小靠近激活发射层(15)的台壁处的电流,通过在台结构内设置一带有宽度小于台结构(11)的、处于台结构(11)中央的缝隙(14)的电流阻挡层(13),使台结构(11)中的侧向电流分布受到控制。

著录项

公开/公告号CN1250551A

专利类型发明专利
公开/公告日2000-04-12

原文格式PDF
申请/专利权人艾利森电话股份有限公司;
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申请/专利号CN98803285.6
发明设计人 B·斯托尔茨;U·奥兰德尔;
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申请日1998-03-06
分类号H01S5/32;H01L33/00;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张志醒
地址瑞典斯德哥尔摩
入库时间 2023-12-17 13:37:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-19

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S5/32 授权公告日:20020911 终止日期:20160306 申请日:19980306

专利权的终止
2002-09-11

授权

授权
2000-05-24

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2000-04-12

公开

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