首页> 中国专利> 外差式声光频谱仪芯片的制备方法

外差式声光频谱仪芯片的制备方法

摘要

外差式声光频谱仪芯片的制备方法,它克服了光栅发散透镜制备技术难度大的缺点。首先在LiNbO3衬底上超精加工两个非球面短程透镜凹面,再进行精密抛光、超声清洗、高频溅射、高温扩散,制成Ti-LiNbO3波导,光刻换能器铝电极,再把半导体激光器和二极管阵列分别对接在波导的两个端面,该制备方法简单,探测容易,性能良好。

著录项

  • 公开/公告号CN1234332A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1999-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院长春物理研究所;

    申请/专利号CN97125630.6

  • 发明设计人 范俊清;许承杰;李也凡;

    申请日1998-05-06

  • 分类号B29D11/00;

  • 代理机构中国科学院长春专利事务所;

  • 代理人王立伟

  • 地址 130021 吉林省长春市延安大路1号

  • 入库时间 2023-12-17 13:33:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2001-09-26

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 1999-11-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号