用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法

摘要

本发明涉及一种用于化学机械抛光(CMP)一层铜层(22)的方法,开始于形成该铜层(22)。而后将该铜层(22)暴露于一种浆液(24)。该浆液(24)含有一种氧化剂如H2O2,一种羧酸盐如柠檬酸铵,一种磨料浆液如矾土磨料,一种任选的三唑或三唑衍生物,以及一种余量的溶剂如去离子水。使用该浆液(24)以高清除速率抛光该铜层(22),其中该铜层(22)的点蚀和腐蚀减少并可获得良好的铜互连平面性。该浆液(24)具有良好的铜相对于氧化物的选择性,得到具有良好电性能的铜设备。此外,对该浆液(24)的处理不会遇到环境上的困难,因为该浆液(24)与其它现有技术的浆液相比环境更为安全可靠。