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化学机械抛磨的间隔绝缘材料顶层

摘要

一种形成一新颖的高密度互连结构的方法。按照本发明,首先在一半导体衬底上形成一绝缘层(206)。然后使该第一绝缘层平面化。接着再在第一平面化的绝缘层上形成一第二绝缘层(212)。穿过第一和第二绝缘层蚀刻出一孔。将一种导体材料(226)沉积到该孔中和第二绝缘层的顶面上。再将导体材料从第二绝缘层上抛磨掉,从而形成一导体孔,其基本上与第二绝缘层平齐。

著录项

  • 公开/公告号CN1203697A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1998-12-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN96198689.1

  • 申请日1996-09-23

  • 分类号H01L21/44;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人崔幼平;林长安

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 13:21:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2003-04-30

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 1999-01-13

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1998-12-30

    公开

    公开

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