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改善了低电压工作特性的半导体集成电路装置

摘要

一种具有正常工作模式和自刷新模式的半导体集成电路装置,具备有:用于使外部电源电压降压并将内部电源电压(int.Vcc)供给内部电路(7)的Vref产生电路(1)、差分放大器(3)、P沟道MOS晶体管(11)、检测自刷新模式的自刷新检测电路(5)以及在自刷新模式时使之导通的P沟道MOS晶体管(17),并在低电压工作(自刷新模式)时,从外部电源电压接点(9)把外部电源电压供给到内部电路(7)上。

著录项

  • 公开/公告号CN1210338A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1999-03-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱电机株式会社;

    申请/专利号CN98104027.6

  • 发明设计人 山崎恭治;

    申请日1998-01-26

  • 分类号G11C11/34;H01L27/04;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人姜郛厚;叶恺东

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 13:17:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2001-05-30

    专利申请的视为撤回

    专利申请的视为撤回

  • 1999-03-10

    公开

    公开

  • 1998-07-08

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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