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公开/公告号CN1192021A
专利类型发明专利
公开/公告日1998-09-02
原文格式PDF
申请/专利权人 富士通株式会社;
申请/专利号CN97117633.7
发明设计人 田河育也;
申请日1997-08-13
分类号G11B5/31;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人冯赓宣
地址 日本神奈川
入库时间 2023-12-17 13:13:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-04-30
发明专利申请公布后的视为撤回
2000-05-17
实质审查请求的生效
1998-09-02
公开
机译: 用于垂直磁化记录和再现的磁头以及使用所述磁头的垂直磁化记录方法
机译: 可以垂直磁化的用于记录介质的磁性薄膜头
机译: 具有预定饱和磁化强度的两个支脚的磁头,用于垂直磁化记录介质
机译:用于环形磁头和单层垂直磁记录介质的轨道边缘处的拆除磁化状态分析
机译:环形磁头和单层垂直磁记录介质在磁道边缘的剩余磁化状态分析
机译:磁头宽度窄的垂直记录介质的磁化
机译:使用环形磁头记录单层垂直介质的特性
机译:具有高垂直各向异性的磁性薄膜,用于磁记录介质应用。
机译:Ru中间层的斜入射溅射用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:用于环型头部和单层垂直磁记录介质的轨道边缘处的倒磁化状态分析。
机译:作者:张莹莹,王汝传,物理学报aCTa pHYsICa sINICa用垂直磁化的各向异性介质双元条带光栅电磁波散射的数学模型。