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离子注入过程模拟装置和模拟方法

摘要

本发明装置包括:根据离子注入剖面数据制成Dual Pearson数据表的Dual Pearson数据抽出部;从DualPearson数据表取得用于剂量系数的内插和外插参数的内插用Dual Pearson数据取得部;剂量系数内插/外插部,通过分别代表非晶态成分和沟道效应成分的两个函数的线性结合来表述离子注入剖面,同时,使用不依赖于剂量的瞬间参数和依赖于剂量的线性结合的系数,使沟道效应成分剂量系数的对数值对全剂量值的对数值进行内插和外插;输出模拟结果的模拟结果输出部。

著录项

  • 公开/公告号CN1195881A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1998-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日本电气株式会社;

    申请/专利号CN98100467.9

  • 发明设计人 麻多进;泽畠弘一;

    申请日1998-02-27

  • 分类号H01L21/265;H01L21/66;C30B31/22;

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人穆德骏

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 13:13:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2004-09-29

    专利权的视为放弃

    专利权的视为放弃

  • 2003-05-21

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20030328 申请日:19980227

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 1998-10-14

    公开

    公开

  • 1998-09-23

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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