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Ion implantation simulation apparatus, ion implantation simulation method, and ion implantation simulation program

机译:离子注入模拟装置,离子注入模拟方法以及离子注入模拟程序

摘要

The group creation part divides n ion particles into groups of a group GSUB1/SUB, a group G 2 , . . . , and a group GSUBk/SUB. The individual area setting part sets an initial condition calculation area 1 a, as an individual area of the group GSUB1/SUB, and makes the calculation part calculate movement of the ion particle. Then, one by one, the individual area setting part sets an individual area of a group GSUBi+1/SUB, based on a range Rp, a dispersion sigmaL, etc. indicating a calculation result of an ion particle belonging to the group GSUBi/SUB. Further, the individual area setting part implants an ion particle belonging to the group GSUBi+1 /SUBinto the individual area of the group GSUBi+1 /SUBand makes the calculation part calculate movement of the implanted ion particle.
机译:基团产生部将n个离子粒子分为G 1 族,G 2,...族。 。 。 ,以及组G k 。个体区域设定部将初始条件计算区域1a设定为组G 1 的个体区域,使计算部计算离子粒子的移动。然后,个别区域设定部基于表示离子粒子的计算结果的范围Rp,分散σL等,逐个设定组G i + 1 的个别区域。属于组G i 。此外,单独区域设定部将属于组G i + 1 的离子粒子注入到组G i + 1 的单独区域中,并使计算部进行计算。注入的离子粒子的运动。

著录项

  • 公开/公告号JP4504027B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社東芝;

    申请/专利号JP20040004708

  • 发明设计人 伊藤 早苗;

    申请日2004-01-09

  • 分类号H01L21/265;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:01:18

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