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公开/公告号CN1152795A
专利类型发明专利
公开/公告日1997-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 大宇电子株式会社;
申请/专利号CN96119880.X
发明设计人 卢载遇;
申请日1996-09-28
分类号H01L21/302;H01L21/31;H01L21/70;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人何培硕
地址 韩国汉城
入库时间 2023-12-17 12:52:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-02-05
发明专利申请公布后的视为撤回
1999-01-20
实质审查请求的生效
1997-06-25
公开
机译: 使用离子注入辅助湿法化学蚀刻在基板上对图案化结构进行平面化
机译: 用于集成电路制造的介电层恢复方法,包括通过蚀刻使玻璃层上的旋涂平面化以形成新的介电层
机译: 使用具有不同孔隙率特性的多个平面化层在半导体基底上形成双金属互连结构的方法
机译:直射写入和湿化学蚀刻方法对SiO_2微膜的制造与表征及湿化学蚀刻方法相对湿度传感
机译:通过湿化学方法在不同基底上制备掺杂Cu的ZnO纳米针:结构表征和光催化性能
机译:湿化学蚀刻诱导极性和非极性外延GaN膜上的应力松弛纳米结构
机译:用催化剂参考蚀刻湿化学平面化单晶SiC
机译:通过化学机械平面化对多层金属化结构的铝和铜薄膜进行构图的工艺和机理研究。
机译:根尖张力和基底附着力之间的耦合使上皮能够在长距离上共同感知并响应基底的形貌
机译:用于湿化学蚀刻微结构的时空不连续Galerkin方法
机译:用于薄膜校正修整的激光控制湿化学蚀刻:在铝上的应用