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用离子注入湿化学蚀刻使基底上的构图结构平面化的方法

摘要

用于平面化基底顶表面上的构图结构平面化的方法,包括下述步骤:在构图结构上沉积绝缘层,在绝缘层的表面上注入预定深度的离子化的原子,在绝缘层上涂覆一光阻层并部分去除该光阻层,使得构图结构上的一部分绝缘层在与该构图结构的宽度基本相同的横向长度值上不被覆盖,将该不被覆盖的部分暴露在蚀刻剂下直到其被去除,而基本上与余下的绝缘层平齐,以及从绝缘层上去除光阻材料。该方法还包括在去除步骤之后重复地进行深蚀刻的步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN1152795A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1997-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大宇电子株式会社;

    申请/专利号CN96119880.X

  • 发明设计人 卢载遇;

    申请日1996-09-28

  • 分类号H01L21/302;H01L21/31;H01L21/70;

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人何培硕

  • 地址 韩国汉城

  • 入库时间 2023-12-17 12:52:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2003-02-05

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 1999-01-20

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1997-06-25

    公开

    公开

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