退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN1092906A
专利类型发明专利
公开/公告日1994-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 山东大学;
申请/专利号CN93110328.2
发明设计人 苗庆海;
申请日1993-03-20
分类号H01L23/48;H01L21/60;
代理机构山东大学专利事务所;
代理人许德山
地址 250100 山东省济南市山大南路27号
入库时间 2023-12-17 12:27:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1998-06-17
专利申请的视为撤回
1995-04-19
实质审查请求的生效
1994-09-28
公开
机译: 植入式电极的薄膜制造技术
机译:对原位的禁闭策略准备了一种像样的脱翅式的C形套电极,具有增强的脱盐容量和电容去离子的速率
机译:In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的钨/ In-Sn-O堆叠式源/漏电极结构,可实现低接触电阻并抑制沟道缩短效应
机译:用于石墨烯场效应晶体管的喷涂式液态金属电极
机译:源/漏电极制造技术对溶液加工A-IGZO基晶体管电性能的影响
机译:固体氧化物燃料电池功能梯度电极的建模和功能梯度电极制造技术的可行性研究。
机译:具有嵌入式AG / AGCL伪参考电极的Si-NaniWire生物敏感场效应晶体管电稳定性的研究
机译:盘式电极的行为:在恒电流条件下盘式电极上浓度分布的光学成像