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一种击穿电压高的薄有源层半导体器件

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摘要

一个在元件区内的双极晶体管设有一P

1. 一种击穿电压高的薄有源层半导体器件 [P] . 中国专利： CN1092558A . 1994-09-21
2. 利用击穿电压的半导体存储单元薄氧化层的测试方法 [P] . 中国专利： CN1540673A . 2004-10-27
3. Thin active layer semiconductor device with high breakdown voltage [P] . 韩国专利： KR100278424B1 . 2001-02-01

机译：高击穿电压的薄有源层半导体器件
4. A SEMICONDUCTOR DEVICE IN A THIN ACTIVE LAYER WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGE [P] . MY111643A . 2000-10-31

机译：具有高击穿电压的薄有源层中的半导体器件
5. Semiconductor device in a thin active layer with high breakdown voltage [P] . 德国专利： DE69411450T2 . 1998-11-12

机译：具有高击穿电压的薄有源层中的半导体器件