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公开/公告号CN111602250A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-28
原文格式PDF
申请/专利权人 艾鲍尔半导体;
申请/专利号CN201980008537.3
发明设计人 哈姆扎·耶尔马兹;
申请日2019-02-07
分类号H01L29/739(20060101);
代理机构31220 上海旭诚知识产权代理有限公司;
代理人郑立;丁惠敏
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-12-17 11:49:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-28
公开
机译: 具有3D背面结构的IGBT器件,用于磁场停止和反向传导
机译: 具有具有由氢供体和氦气形成的场截止层的IGBT和二极管的半导体器件
机译:具有沟槽短阳极的新型沟槽栅场截止IGBT
机译:用于矩阵螺旋桨的新型功率器件 - 反向抑制IGBT
机译:使用具有反向耐压IGBT的矩阵压实机的实用技术-可直接从交流电压直接输出任意电压的功率转换装置的新概念通过反向阻断IGBT实现
机译:600V反向传导沟槽式场截止IGBT,用于薄晶圆技术中的驱动器应用
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于光子器件的三维六边形GaN结构中a面的形成
机译:用于具有高级保护的IGBT器件的新型栅极驱动器集成电路
机译:GCND3D:用于建模具有固态化学反应和相变的三维热传导的计算机程序