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公开/公告号CN111466022A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201880080096.3
发明设计人 成海涛;金章;
申请日2018-10-16
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人张宁
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 11:45:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 申请日:20181016
实质审查的生效
2020-07-28
公开
机译: 电容器阵列与片上电感器/变压器重叠
机译: 折叠的金属氧化物金属电容器与片上电感器/变压器重叠
机译: 片上电感器/变压器重叠的折叠式金属氧化物电容器
机译:使用片上电感器和MOS电容器的片上电磁带隙结构
机译:通过片上电容器的后特征化匹配来增加超导微谐振器阵列的复用
机译:GaAs MMIC的片上电感器和变压器建模
机译:片上电源(电感器和电容器与有源半导体的集成)
机译:片上电感器和变压器电路的设计,建模和优化。
机译:柔性电介质上电润湿微透镜阵列片
机译:高精度电路,用于片上电容器比率测试和传感器读出
机译:超导探测器阵列的片上IR光谱传感器。半年度报告(编号)2,1995年1月18日至1995年7月18日