具有集成纳米光子结构以增强EQE的LED发射器

摘要

公开了一种用于产生增强的外量子效率（EQE）LED发射的装置、系统和方法。该装置、系统和方法包括被配置成将表面模式转换成定向辐射的图案化层、被形成为Ⅲ/Ⅴ直接带隙半导体以产生辐射的半导体层、以及被配置成反射入射辐射的金属背部反射器层。图案化层可以是一维、二维或三维的。图案化层可以浸没在半导体层内或电介质层内。半导体层是p型氮化镓（GaN）。图案化层可以是双曲超材料（HMM）层，并且可以包括光子超晶体（PhHc），或者可以是低或高折射率材料，或者可以是金属。