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一种低相位噪声的双谐振腔噪声滤波压控振荡器

摘要

本发明涉及一种低相位噪声的双谐振腔噪声滤波压控振荡器,属于微波集成电路设计技术领域。由交叉耦合对管、固定电容阵列、可变电容阵列、源漏耦合变压器以及二次谐波阻挡电路组成。交叉耦合对管由两个对称的射频晶体管组成,用来补偿电感电容谐振腔中的损耗,固定电容阵列由2对被外部数字码控制的电容组成,可变电容阵列由一对变容管组成,源漏耦合变压器由65nm工艺中的极厚第九金属层绕线组成,二次谐波阻挡电路由谐振在载波频率二倍频的电感电容谐振腔组成。本发明采用变压器耦合的源漏同向摆动以增大振荡器的摆幅,采用在振荡器底部串接二次谐波抑制电路,以抑制振荡器中二次谐波电流导致的闪烁噪声上的变频,从而降低了压控振荡器的相位噪声。

著录项

  • 公开/公告号CN111541423A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN202010336982.7

  • 发明设计人 张雷;袁泽心;

    申请日2020-04-26

  • 分类号H03B5/04(20060101);H03B5/12(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人罗文群

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2023-12-17 11:36:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-14

    公开

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