一种提高半导体探测器中子测量效率的结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种提高半导体探测器中子测量效率的结构及其制作方法，结构为，半导体探测器的灵敏区设置有均匀分布的孔洞；所述孔洞中设置有6LiF柱。制作方法包括：根据预设的尺寸和位置在半导体探测器蚀刻出孔洞，将6LiF粉末灌入所述孔洞。本发明的有益效果如下：本发明能够大幅度增加有效面积，从而提升中子测量的效率，提升半导体探测器的性能。本发明工艺简单、成本低有很强的实用性。