具有连接到位线的接合结构的三维存储器装置及其制造方法

摘要

呈存储器裸片形式的三维存储器装置包含位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠，以及延伸穿过所述交替堆叠的存储器堆叠结构，其中所述存储器堆叠结构中的每一个包含存储器膜和接触所述存储器膜的内部侧壁的竖直半导体通道。位线电连接到所述竖直半导体通道中的相应一个的末端部分。凸块连接通孔结构接触所述位线中的相应一个的顶部表面，其中所述凸块连接通孔结构中的每一个沿着所述位线的长度方向比沿着所述位线的宽度方向具有更大的横向尺寸。另一半导体裸片的金属凸块结构接触所述凸块连接通孔结构中的相应者以形成两个裸片之间的相应电连接。