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一种钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物电极及制备方法

摘要

本发明提供的一种钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物电极,包括导电基底和生长在其表面的钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物纳米片,钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物纳米片由钌纳米颗粒和含硫空位的过渡金属硫化物纳米片复合而成,形成异质结构。制备方法为先在导电基底上制备过渡金属硫化物纳米片,再经过硼氢化钠处理得到含硫空位的过渡金属硫化物,最后浸入含三氯化钌的氢氧化钠溶液中掺杂钌。本发明所得钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物电极因存在硫空位而产生大量表面氧化还原活性位点,掺杂的钌占据硫空位处,与其他硫键合,从而激活表面电荷转移,提高电子传输性能,有效改善Li‑O2电池反应动力学缓慢及循环稳定性差的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111525128A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010313134.4

  • 申请日2020-04-20

  • 分类号H01M4/58(20100101);H01M4/136(20100101);H01M4/1397(20100101);H01M4/62(20060101);H01M12/08(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-17 11:32:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    公开

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