基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法

摘要

本发明提供了一种基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法，属于光探测器领域，半绝缘衬底的正面上自下至上依次生长N型欧姆接触层、吸收层、P型阻挡层和P型欧姆接触层，半绝缘衬底的背面设有透镜；N型欧姆接触层为台面结构，N型欧姆接触层上形成N电极环，N电极环与半绝缘衬底上的N电极压点相连；P型欧姆接触层上形成P电极环，P电极环与半绝缘衬底上的P电极压点相连，P电极环内定义为光敏区，光敏区设有反射层；吸收层为本征InGaAs层与P型InGaAs层的混合吸收层。本发明引入本征及P型混合吸收层，可以增加对光的吸收；在背面制作透镜，采用背入射进光，可使光纤与透镜的耦合更为容易。