在短波红外线内针对CMOS成像器的绝缘体上的锗

摘要

本发明公开一种光检测结构，包含在一绝缘体上锗(GeOI)芯片的一器件层内形成的锗(Ge)光电二极管、基于所述锗光电二极管(PD)的多个焦平面阵列；以及公开一种制备所述锗光电二极管及焦平面阵列(FPA)的方法。一FPA包含结合至一ROIC的一位于GeOI上方的锗光电二极管阵列，其中所述GeOI层的操作层已被移除。可设计所述GeOI的绝缘体的特性及厚度，以改善耦入所述光电二极管的光耦合。