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一种基于应变调控抗辐射性能的光探测单元及调控方法

摘要

本发明涉及一种基于应变调控抗辐射性能的光探测单元及调控方法。所述光探测单元包括柔性衬底、反光层、绝缘层、层状二维铁电材料、第一电极和第二电极;在所述柔性衬底上依次制备所述反光层、所述绝缘层和所述层状二维铁电材料;在所述层状二维铁电材料上分别制备所述第一电极和所述第二电极;所述第一电极和所述第二电极之间施加电场的方向与所述层状二维铁电材料面内极化方向平行。本发明的目的是提供一种基于应变调控抗辐射性能的光探测单元及调控方法,可应用于航空航天以及强辐射环境中,并根据实际需要调控抗辐射性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111521262A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;

    申请/专利号CN202010349091.5

  • 发明设计人 侯鹏飞;王鑫豪;

    申请日2020-04-28

  • 分类号G01J1/42(20060101);

  • 代理机构11569 北京高沃律师事务所;

  • 代理人杜阳阳

  • 地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学

  • 入库时间 2023-12-17 11:15:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    公开

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