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一种双向瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品

摘要

本发明实施例公开了一种双向瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品,所述瞬态电压抑制保护器件包括,多层所述外延层依次设置在所述衬底上方,远离所述衬底最上方外延层上设置有阱;所述衬底与所述阱掺杂类型相同,且分别与多层所述外延层掺杂类型相反,其中,多层所述外延层的掺杂类型相同;与所述衬底接触的外延层和与所述阱接触的外延层的电阻率分别大于中间位置外延层的电阻率;与所述衬底接触的外延层和与所述阱接触的外延层的掺杂浓度分别小于中间位置外延层的掺杂浓度,本发明实施例公开的技术方案可以使双向瞬态电压抑制保护器件可以在较高电压下工作,同时封装比较简单。

著录项

  • 公开/公告号CN111564439A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海韦尔半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN202010378835.6

  • 发明设计人 张富生;许成宗;韩业星;

    申请日2020-05-07

  • 分类号H01L27/02(20060101);H01L27/082(20060101);H01L21/8222(20060101);H01L29/06(20060101);

  • 代理机构44684 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张海燕

  • 地址 201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层

  • 入库时间 2023-12-17 11:11:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    公开

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