一种背结背接触太阳能电池结构及其制备方法

摘要

本专利提供了一种一种背结背接触太阳能电池结构及其制备方法，所述电池结构自上而下依次包括：减反层(1)、钝化膜(2)、N+掺杂层(3)、N型硅衬底(4)、背面P+掺杂层(5)及Topcon结构和电池电极；所述背面P+掺杂层(5)及所述Topcon结构交叉分布在同一层；所述Topcon结构为超薄氧化层(6)和N+多晶硅/非晶硅层(7)；所述电池电极包括正电极(8)和负电极(9)；所述正电极(8)与P+掺杂层(5)接触；所述负电极(9)与所述N+多晶硅/非晶硅层(7)接触。通过改变现有技术背面掺杂层的N+背面掺杂区为Topcon结构，不但能提高电池开压同时没有增加工艺流程的复杂度，从根本上降低了电池的度电成本。